新聞事件：

• 飛兆半導體與英飛凌科技簽署創(chuàng)新的汽車級MOSFET H-PSOF封裝工藝許可協(xié)議

事件影響：

• 協(xié)議確保設計人員可獲得可靠的創(chuàng)新封裝技術供應渠道
• 這種封裝相對于現(xiàn)有的D2PAK，PCB板面積和高度分別降低20%和50%
• TO-Leadless MOSFET封裝解決方案將應用于汽車行業(yè)

 
英飛凌科技股份公司與飛兆半導體公司近日宣布簽署英飛凌先進汽車級MOSFET封裝工藝H-PSOF（帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝）——符合JEDEC標準的TO-Leadless封裝（MO-299）——的許可協(xié)議。

這種封裝適用于大電流汽車應用，包括混合動力汽車的電池管理、電動助力轉向系統(tǒng)（EPS）、主動式發(fā)電機和其他重載電氣系統(tǒng)。TO-Leadless封裝是首個實現(xiàn)300安培電流能力的封裝。這種封裝相對于現(xiàn)有的D2PAK，PCB板面積和高度分別降低20%和50%，從而大幅節(jié)省空間。

開發(fā)全新的啟停系統(tǒng)、電動助力轉向系統(tǒng)、電池管理和主動式發(fā)電機，以滿足更苛刻的能效和排放要求的汽車電子公司，正在尋求各種創(chuàng)新解決方案，但他們還必須最大程度規(guī)避僅從一家供應商采購器件的風險。為確保可靠的器件供應，飛兆半導體與英飛凌簽署該許可協(xié)議，旨在將領先業(yè)界的TO-Leadless MOSFET封裝解決方案應用于汽車行業(yè)，同時最大程度降低從一家供應商采購器件的風險。

飛兆半導體公司計劃將TO-Leadless功率器件封裝工藝應用于其最新的MOSFET技術。采用TO-Leadless封裝的首批MOSFET樣品，預計將于2012年下半年開始提供，批量生產(chǎn)有望于2013年中期開始。

飛兆半導體汽車業(yè)務部副總裁Marion Limmer指出：“憑借多年來在汽車行業(yè)積累的豐富經(jīng)驗，飛兆半導體在滿足當前各大汽車廠商的功率半導體需求方面，遙遙領先。通過采用這種TO-Leadless功率器件封裝工藝，飛兆半導體幫助設計人員充分利用最新的低阻MOSFET技術，從而進一步提高我們在汽車市場的份額。”

英飛凌科技股份公司汽車電子業(yè)務部總裁Jochen Hanebeck表示：“擁有這個協(xié)議，汽車行業(yè)將受益于從其他可靠供應商訂購空間、能效及性能方面具備優(yōu)勢的大電流功率器件。作為汽車功率應用技術的領導者，英飛凌利用其技術專長為汽車系統(tǒng)供應商提供可提高能效和性能的MOSFET，同時還可最大程度降低從一家供應商采購的風險。”

飛兆半導體與世界領先的汽車制造商和系統(tǒng)供應商合作，開發(fā)出廣泛支持汽車應用的半導體解決方案，包括優(yōu)化現(xiàn)代汽車的電源管理架構、降低燃耗和環(huán)境污染等等。