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貿(mào)澤與Molex攜手推出全新電子書，提供有關(guān)去中心化數(shù)據(jù)管理的見解和專業(yè)知識(shí)
2023年8月9日 – 專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與知名電子元器件制造商、連接技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)Molex攜手推出全新電子書《The Power of Innovation and Data: Revolutionizing Industrial, Healthcare, Automotive and Data Centers》（創(chuàng)新和數(shù)據(jù)的力量：為工業(yè)、醫(yī)療、汽車和數(shù)據(jù)中心帶來變革）。本書探討了去中心化數(shù)據(jù)管理面臨的諸多挑戰(zhàn)，涉及數(shù)據(jù)中心去中心化、數(shù)據(jù)完整性和安全性，以及提高設(shè)計(jì)靈活性以滿足不斷變化的市場(chǎng)需求等方面。
2023-08-09
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結(jié)合機(jī)器人感知和人工智能創(chuàng)造新時(shí)代
賦予機(jī)器人對(duì)于環(huán)境的感知與移動(dòng)能力，使得機(jī)器人能夠更安全、更具機(jī)動(dòng)性，若再結(jié)合人工智能（Artificial Intelligence, AI）技術(shù)，將能使機(jī)器人更聰明、更具實(shí)用性，使得機(jī)器人的未來發(fā)展極具想象空間。本文將為您探討機(jī)器人感知與AI技術(shù)的發(fā)展，以及眾多廠商所推出的相關(guān)解決方案。
2023-08-08
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AFE8092幀同步特性簡(jiǎn)析
TI Transceiver芯片是高集成度，高性能的射頻收發(fā)器芯片。產(chǎn)品族內(nèi)產(chǎn)品架構(gòu)種類豐富。在產(chǎn)品架構(gòu)方面，包括了以AFE77xx系列為代表的零中頻架構(gòu)收發(fā)信機(jī)，以AFE80xx, AFE79xx，AFE76xx系列為代表的射頻直采架構(gòu)收發(fā)信機(jī)。在產(chǎn)品通道數(shù)方面，支持最低2T2R1F，4T4R2F到8T8R2F的通道數(shù)。同時(shí)，也支持大部分射頻控制功能，如AC校正，PAP保護(hù)以及AGC控制功能。本篇blog會(huì)簡(jiǎn)單介紹AFE8092的AGC功能中涉及的幀同步特性，指導(dǎo)用戶針對(duì)射頻系統(tǒng)要求進(jìn)行參數(shù)指標(biāo)設(shè)計(jì)。
2023-08-03
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為什么Tier1要開發(fā)控制器的電源管理芯片？
電源管理芯片（SBC：System Base Chip）是控制器（MCU）外圍器件工作電壓的提供者，沒有SBC供電，控制器的外圍器件則無法工作。使用SBC主要目的：降低硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度和成本?？梢?，SBC在控制器開發(fā)中的重要性。對(duì)于商業(yè)行為，我們知道，降低成本意味著利潤(rùn)的提高，而且，有利于產(chǎn)品搶占更大的市場(chǎng)份額。
2023-07-26
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基于自振蕩混頻的X波段單器件收發(fā)電路設(shè)計(jì)分析
作為通信系統(tǒng)中的兩個(gè)關(guān)鍵的電路單元，混頻器和振蕩器起著至關(guān)重要的作用。在無線通信中，混頻器與振蕩器的設(shè)計(jì)直接關(guān)系到整個(gè)電路是否具有高性能與高穩(wěn)定性的品質(zhì)。在接收前端電路中，混頻器作為實(shí)現(xiàn)頻率搬移的器件，將由天線所接收到的射頻(Radio Frequency，RF)信號(hào)與振蕩器所提供的本地振蕩(Local Oscillation，LO)信號(hào)源進(jìn)行線性的頻率變換，從而得到方便處理的中頻(Intermediate Frequency，IF)信號(hào)。
2023-07-26
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工程師必須知道的大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)技巧
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。其特性包括：互補(bǔ)輸入（IN+ 和 IN-），開漏故障（1686908889869977.png）和就緒 (RDY) 輸出，復(fù)位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去飽和保護(hù) (DESAT)，去飽和情況下軟關(guān)斷，拉電流 (OUTH) 和灌電流 (OUTL) 分離驅(qū)動(dòng)輸出（僅限 NCD(V)57000），精確欠壓閉鎖 (UVLO)，低傳播延遲（最大值90 ns）和小脈沖失真（最大值25 ns），較高的共模瞬變抗擾度 (CMTI)——在 VCM = 1500 V條件下可承受 100kV/us（最小值），輸入信號(hào)范圍涵蓋 5 V 和 3.3 V，輸出差分偏置電壓（VDD2-VEE2）最高 25 V（最大值），VDD2 額定值為 25 V（最大值），VEE2 額定值為 -10 V（最大值）。NCD(V)5700x 提供 5 kVrms 電流隔離和 1.2 kV 工作電壓能力，輸入和輸出之間的爬電距離保證至少 8 mm。寬體 SOIC-16 封裝滿足增強(qiáng)型安全絕緣要求。
2023-07-21
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高能效、小外形的240W USB PD3.1 EPR適配器的參考設(shè)計(jì)
更大容量電池需具備相同或更快充電時(shí)間的趨勢(shì)正在加速USB-C PD采用更大的功率及更高的輸出電壓， USB PD組織發(fā)布了最新的USB PD3.1 EPR規(guī)范，使得最大的輸出達(dá)到48V 5A, 240W的功率。在設(shè)計(jì)USB PD適配器和充電器時(shí)，要滿足COC V5 Tier2 等最新的能效標(biāo)準(zhǔn)，并考慮小型化設(shè)計(jì)以配合移動(dòng)便攜式設(shè)備等輕薄短小但功能豐富多樣的趨勢(shì)。
2023-07-13
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SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324
前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時(shí)也分享了安森美在器件開發(fā)的一些特點(diǎn)和進(jìn)展。到這里大家對(duì)于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對(duì)于一個(gè)SiC功率器件來說只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來，這次我們會(huì)從AQG324這個(gè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的角度來看芯片和封裝的開發(fā)與驗(yàn)證。
2023-07-10
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貿(mào)澤電子榮獲Amphenol 2022年度里程碑獎(jiǎng)
2023年7月7日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布榮獲其重要合作伙伴、互聯(lián)行業(yè)全球知名制造商Amphenol Corporation頒發(fā)的2022年度里程碑獎(jiǎng)。貿(mào)澤長(zhǎng)期備貨Amphenol旗下40多個(gè)產(chǎn)品部門的全線產(chǎn)品，客戶可前往貿(mào)澤官網(wǎng)mouser.cn進(jìn)行購(gòu)買。
2023-07-07
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新能源汽車熱管理系統(tǒng)低壓執(zhí)行器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)解決方案推薦
隨著新能源汽車的快速發(fā)展，熱管理系統(tǒng)的重要性日益突出。因?yàn)椴煌悴考蛘呶恢玫淖罴压ぷ鳒囟炔灰粯?，例如電機(jī)，電控，電池，座艙等，所以需要一套系統(tǒng)對(duì)整車的熱量進(jìn)行精細(xì)化的調(diào)節(jié)，從而提高整車的系統(tǒng)熱效率，進(jìn)而提高續(xù)航里程。如下圖所示，這套系統(tǒng)往往由水泵，冷卻液多通閥和膨脹閥等組成。因?yàn)樗鼈兊奈恢帽容^靠近，所以該系統(tǒng)逐漸從分布式走向集中式。因?yàn)榧冸妱?dòng)汽車沒有傳統(tǒng)油車的皮帶輪，所以這些執(zhí)行器往往通過電機(jī)驅(qū)動(dòng)。即使是插電式混動(dòng)汽車，在追求系統(tǒng)高效率的驅(qū)動(dòng)下，廠家往往希望熱管理系統(tǒng)執(zhí)行器與發(fā)動(dòng)機(jī)皮帶輪解耦，從而進(jìn)行更靈活的調(diào)節(jié)。為此，英飛凌基于豐富的MOTIX?系列產(chǎn)品和MCU家族，可以根據(jù)客戶需求，靈活地提供熱管理系統(tǒng)的低壓執(zhí)行器系統(tǒng)級(jí)驅(qū)動(dòng)解決方案。
2023-07-05
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耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品
功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時(shí)，功率MOSFET需要作為?！伴_”開關(guān)運(yùn)行。在VGS=0V時(shí)作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。
2023-07-04
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MIMO系統(tǒng)與波束賦形（下篇）
在這篇文章我們來了解下NR 預(yù)編碼碼本的設(shè)計(jì)思路，預(yù)編碼與模擬波束賦形在Massive MIMO 上的結(jié)合，以及Keysight Multi Transceiver RF Test Set (E6464A/E6416A)在Massive MIMO 波束賦形測(cè)試中的應(yīng)用。
2023-06-30
- 協(xié)同創(chuàng)新，助汽車行業(yè)邁向電氣化、自動(dòng)化和互聯(lián)化的未來
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流
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