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HDMI接口的ESD保護(hù)設(shè)計(jì)要點(diǎn)
由于HDMI 1.3的速度快,而且越來(lái)越多的設(shè)備采用多個(gè)HDMI接口,所以對(duì)ESD保護(hù)方案提出了一些新要求。本文介紹采用泰科電子的PESD器件的HDMI接口ESD保護(hù)設(shè)計(jì)方案。此方案既能有效進(jìn)行ESD保護(hù),又不影響高速信號(hào)傳輸?shù)囊蟆?/p>
2011-12-20
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高速數(shù)據(jù)應(yīng)用中 ESD 抑制技術(shù)簡(jiǎn)介【空氣間隙技術(shù)】
高清電視及顯示器的發(fā)展加速提高了信號(hào)傳輸速率,除此之外,USB 2.0以及USB 3.0等高速串行協(xié)議的應(yīng)用也使信號(hào)速率在不斷提高。隨著信號(hào)速率的提高,以前傳統(tǒng)的ESD保護(hù)技術(shù)已顯得過(guò)時(shí),多層壓敏電阻、硅二極管的高電容、漏電流以及鉗位電壓已經(jīng)不能提供準(zhǔn)確可靠的保護(hù),以保證高速信號(hào)不發(fā)生明顯的信號(hào)降級(jí)。
2011-12-06
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小體積、低電容的SESD器件為高速I/O接口提供保護(hù)
便攜設(shè)備的持續(xù)小型化與功能提升相結(jié)合,使得系統(tǒng)需要更強(qiáng)有力的保護(hù)以免受ESD事件引起的損壞。ESD瞬態(tài)事件可能破壞設(shè)備的運(yùn)行或者導(dǎo)致潛在的損害和安全問(wèn)題。小體積、低電容的SESD器件提供了一種簡(jiǎn)單的、高性價(jià)比成本效益的解決方案。
2011-12-02
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3G手機(jī)顯示屏和照相機(jī)模塊的ESD保護(hù)
豐富多媒體業(yè)務(wù)推動(dòng)3G手機(jī)中LCD顯示屏和照相機(jī)的分辨率走上一個(gè)又一個(gè)新臺(tái)階。不過(guò),將顯示屏和照相模塊連接到基帶電路或者多媒體處理器之間的接口設(shè)計(jì)將面臨更嚴(yán)重的ESD、EMI問(wèn)題。下面討論的來(lái)自意法半導(dǎo)體(ST)的方案將有助于解決這個(gè)問(wèn)題。
2011-11-30
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雙極型集成電路的ESD保護(hù)
靜電放電(ESD)會(huì)對(duì)集成電路(IC)造成破壞性的能量沖擊,良好的IC設(shè)計(jì)能夠在IC裝配到應(yīng)用電路的過(guò)程中保護(hù)IC免遭ESD沖擊的破壞。安裝后,IC還必須能夠承受ESD穿過(guò)靜電防護(hù)電路進(jìn)入最終電路的沖擊。除此之外,機(jī)械防護(hù)、電源去耦電容都有助于提高ESD保護(hù)能力,但是,如果電容選擇不當(dāng)將會(huì)造成IC更容易損壞。為了給IC提供合理的ESD保護(hù),需要考慮以下內(nèi)容:
2011-11-28
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長(zhǎng)三角市場(chǎng)漸成可靠性安規(guī)產(chǎn)品價(jià)值高地
由電子元件技術(shù)網(wǎng)(m.hiighwire.com)攜手中國(guó)電子展、我愛(ài)方案網(wǎng)(www.52solution.com)和China outlook consulting主辦的電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)專題展覽,已于11月9日-11日與第78屆中國(guó)電子展同期在上海舉辦。20余家國(guó)內(nèi)外專業(yè)技術(shù)廠商參加了展覽以及相關(guān)的行業(yè)活動(dòng),集中展示了電路保護(hù)、防雷技術(shù)、ESD防護(hù)、電磁兼容等可靠性安規(guī)技術(shù)。本次展覽也成為該領(lǐng)域本年度內(nèi)最具規(guī)模的一次技術(shù)交流盛會(huì)。
2011-11-15
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第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)現(xiàn)場(chǎng)盛況【圖文】
本屆研討會(huì)聚焦長(zhǎng)三角地區(qū)的新興應(yīng)用的實(shí)際需求,邀請(qǐng)國(guó)際知名廠商技術(shù)專家分享過(guò)流過(guò)壓保護(hù)、防雷設(shè)計(jì)、ESD防護(hù)、EMC設(shè)計(jì)方案等技術(shù)熱點(diǎn),為工程師帶來(lái)實(shí)用和有效的技術(shù)方案。Bourns、Murata、AEM科技、深圳順絡(luò)電子、君耀、蘇州泰思特、東莞貝特等知名廠商的技術(shù)專家以及EMC知名專家錢振宇教授分享了過(guò)流過(guò)壓保護(hù)元件選型、可靠電路設(shè)計(jì)、雷擊防護(hù)和EMC創(chuàng)新方案等議題,精彩看點(diǎn)不斷!
2011-11-10
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VBUS54ED-FBL:Vishay推出超小尺寸4線總線端口保護(hù)陣列用于便攜產(chǎn)品
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用新型超小尺寸LLP2510封裝的新款4線ESD保護(hù)陣列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面積只有2.5mmx1.0mm,高度低至0.55mm,其低電容和低泄漏電流的特性可以保護(hù)高速信號(hào)線免受瞬態(tài)電壓信號(hào)的損害。
2011-11-08
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應(yīng)用于便攜及消費(fèi)產(chǎn)品的完整ESD及EMI保護(hù)方案
對(duì)于電子產(chǎn)品而言,保護(hù)電路是為了防止電路中的關(guān)鍵敏感型器件受到過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)熱等沖擊的損害。保護(hù)電路的優(yōu)劣對(duì)電子產(chǎn)品的質(zhì)量和壽命至關(guān)重要。隨著消費(fèi)類電子產(chǎn)品需求的持續(xù)增長(zhǎng),更要求有強(qiáng)固的靜電放電(ESD)保護(hù),同時(shí)還要減少不必要的電磁干擾(EMI)/射頻干擾(RFI)噪聲。
2011-10-27
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小尺寸集成電路CDM測(cè)試
集成電路(IC)的靜電放電(ESD)強(qiáng)固性可藉多種測(cè)試來(lái)區(qū)分。最普遍的測(cè)試類型是人體模型(HBM)和充電器件模型(CDM)。這兩種ESD測(cè)試類型旨在揭示包含基本ESD控制的制造環(huán)境下,電路在ESD應(yīng)力下的存續(xù)情況如何。HBM是應(yīng)用最久的ESD測(cè)試,但工廠ESD控制專家普遍認(rèn)為,在現(xiàn)代高度自動(dòng)化的組裝運(yùn)營(yíng)中,CDM是更重要的ESD測(cè)試。CDM應(yīng)力的大小會(huì)隨著器件的尺寸而變化。有關(guān)CDM的“傳統(tǒng)智慧”更認(rèn)為不需要測(cè)試尺寸極小的集成電路,因?yàn)榉逯惦娏骺?/p>
2011-10-12
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USB 3.0應(yīng)用的ESD保護(hù)設(shè)計(jì)
USB是通用串行總線的簡(jiǎn)稱,這是目前個(gè)人計(jì)算機(jī)與其它外部設(shè)備聯(lián)機(jī)使用最為廣泛的一種傳輸接口。本文主要介紹USB3.0連接端口ESD保護(hù)組件的要素以及采用AZ1065的USB 3.0 應(yīng)用ESD保護(hù)方案。
2011-10-10
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打造高可靠性設(shè)計(jì)專業(yè)盛會(huì)
電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)廠商齊聚上海由CNT Networks聯(lián)手中國(guó)電子展組委會(huì)、China Outlook Consulting主辦的電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)專區(qū),將于2011年11月9日-11日在上海舉辦的第78屆中國(guó)電子展中閃亮登場(chǎng)。作為國(guó)內(nèi)唯一一個(gè)聚焦電路保護(hù)與電磁兼容設(shè)計(jì)技術(shù)的專業(yè)展示活動(dòng),本屆活動(dòng)共聚集了國(guó)內(nèi)外超過(guò)20家的專業(yè)技術(shù)廠商參展,主要展示電路保護(hù)、防雷技術(shù)、ESD防護(hù)、電磁兼容等相關(guān)技術(shù)及解決方案,它將成為2011年度最具規(guī)模的一次電子系統(tǒng)高可靠性設(shè)計(jì)技術(shù)交流的盛會(huì)。
2011-09-29
- AMTS 2025展位預(yù)訂正式開(kāi)啟——體驗(yàn)科技驅(qū)動(dòng)的未來(lái)汽車世界,共迎AMTS 20周年!
- 貿(mào)澤電子攜手安森美和Würth Elektronik推出新一代太陽(yáng)能和儲(chǔ)能解決方案
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)熱測(cè)量
- 貿(mào)澤開(kāi)售Nordic Semiconductor nRF9151-DK開(kāi)發(fā)套件
- TDK推出用于可穿戴設(shè)備的薄膜功率電感器
- 日清紡微電子GNSS兩款新的射頻低噪聲放大器 (LNA) 進(jìn)入量產(chǎn)
- 中微半導(dǎo)推出高性價(jià)比觸控 MCU-CMS79FT72xB系列
- 意法半導(dǎo)體推出首款超低功耗生物傳感器,成為眾多新型應(yīng)用的核心所在
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