產(chǎn)品特征：

• 運(yùn)行頻率為920 至960 MHz，提供17.8 W 的平均RF功率輸出，效率高達(dá)42.5%
• 誤差矢量幅度的均方根值不超過2.1%
• 增強(qiáng)型的內(nèi)部阻抗匹配能使制造商更輕松地適應(yīng)印刷電路板的變化

適用范圍：

• 基站收發(fā)器、GSM EDGE無(wú)線網(wǎng)絡(luò)

隨著基于LDMOS（laterally-diffused metal oxide semiconductor，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)的三個(gè)高性能RF功率晶體管的推出，飛思卡爾半導(dǎo)體擴(kuò)展了它在GSM EDGE無(wú)線網(wǎng)絡(luò)方面的投入。這些器件結(jié)合了增強(qiáng)功能，使它們輕松集成到放大器內(nèi)，同時(shí)可提供卓越的性能水平。

飛思卡爾副總裁兼RF部門總經(jīng)理Gavin Woods 表示："隨著行業(yè)向第三和第四代無(wú)線業(yè)務(wù)不斷邁進(jìn),GSM無(wú)疑是部署最為廣泛的無(wú)線技術(shù)。飛思卡爾最新的RF功率晶體管的設(shè)計(jì)旨在通過提高基站收發(fā)器的效率，幫助全球的GSM運(yùn)營(yíng)商提高來自每個(gè)用戶的平均收入。"

MRFE6S9046N（920 至 960 MHz）對(duì)于GSM EDGE的應(yīng)用，MRFE6S9046N 的運(yùn)行頻率為920 至960 MHz，提供17.8 W 的平均RF功率輸出，19 dB 的增益，效率高達(dá)42.5%，且誤差矢量幅度的均方根（RMS）值不超過2.1%。它內(nèi)置在飛思卡爾超模壓塑膠封裝中，該封裝是精確機(jī)械公差和成本效率的結(jié)合。此外，該封裝是表面安裝的，這使它能夠支持自動(dòng)化的制造流程。而且，增強(qiáng)型的內(nèi)部阻抗匹配能使制造商更輕松地適應(yīng)印刷電路板的變化。內(nèi)部輸出匹配不僅在基本頻率上實(shí)現(xiàn)了用戶友好的終端阻抗，而且還包括賴以實(shí)現(xiàn)更高效率的第二和第三個(gè)諧波終端，以符合 F 級(jí)放大器的理論。

MRF8S9100H/HS（920 至 960 MHz) 與 MRF8S18120H/HS（1805 至 1880 MHz）這些 28 V 的器件專為 GSM 與 EDGE 系統(tǒng)中的 AB 級(jí)與 C 級(jí)的操作而設(shè)計(jì)。在 GSM EDGE 業(yè)務(wù)中，MRF8S9100H/HS 在 940 MHz 運(yùn)行時(shí)提供 45 W的平均功率，19.1 dB 的增益，44%的效率以及均方根（RMS）值為2.0%的誤差矢量幅度（EVM）。

在 GSM EDGE 業(yè)務(wù)中，MRF8S18120H/HS 在 1840 MHz 運(yùn)行時(shí)提供 46 W的平均功率，18.2 dB 的增益，42%的效率以及均方根（EVM）值為1.7%的誤差矢量幅度。MRF8S9100H/HS 與 MRF8S18120H/HS 內(nèi)置在結(jié)實(shí)的氣腔陶瓷封裝中。MRF8S9100H/HS 還能夠在 GSM 800 頻段中操作，而 MRF8S18120H/HS 支持在 GSM 1900 頻段中的操作。所有這三個(gè)器件都是內(nèi)部匹配的，以簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)，符合 RoHS規(guī)范，并且還包含內(nèi)部 ESD 保護(hù)電路。

定價(jià)和供貨情況
MRFE6S9046N 現(xiàn)已成批生產(chǎn)，而且也可提供樣品。MRF8S9100H/HS 與 MRF8S18120H/HS 現(xiàn)在也處于樣品性能試驗(yàn)階段，預(yù)計(jì)2009年7月全面投入生產(chǎn)。參考測(cè)試設(shè)備將與預(yù)期于2009年7月生產(chǎn)的大型信號(hào)模型一起提供。