【導(dǎo)讀】本文介紹了在無限流電阻中的上電浪涌電流的抑制，通過兩種方法的比對(duì)，讀者可以選擇更加適合自身設(shè)計(jì)的方法來進(jìn)行浪涌電流的抑制，并且每種方法的優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn)不盡相同，更加方便了設(shè)計(jì)者們進(jìn)行選擇。
在電子電路工程設(shè)計(jì)中，通常都會(huì)需要對(duì)浪涌電流進(jìn)行抑制。因?yàn)槔擞侩娏骱艽蟪潭壬蠒?huì)影響電力設(shè)備與電路的安全性。在本文中小編將為大家介紹對(duì)于無限流電阻中的上電浪涌電流的抑制模塊設(shè)計(jì)。
無限流電阻的上電浪涌電流抑制模塊
圖1一種上電浪涌電流抑制電路
有人提出一種無限流電阻的上電浪涌電流抑制電路如圖1（a）所示，其上電電流波形如圖1（b）所示，其思路是將電路設(shè)計(jì)成線形恒流電路。實(shí)際電路會(huì)由于兩極放大的高增益而出現(xiàn)自激振蕩現(xiàn)象，但不影響電路工作。從原理上講，這種電路是可行的，但在使用時(shí)則有如下問題難以解決：如220V輸入的400W開關(guān)電源的上電電流至少需要達(dá)到4A，如上電時(shí)剛好是電網(wǎng)電壓峰值，則電路將承受4×220×=1248W的功率。不僅遠(yuǎn)超出IRF840的125W額定耗散功率，也遠(yuǎn)超出IRFP450及IRFP460的150W額定耗散功率，即使是APT的線性MOSFET也只有450W的額定耗散功率。因此，如采用IRF840或IRFP450的結(jié)果是，MOSFET僅能承受有限次數(shù)的上電過程便可能被熱擊穿，而且從成本上看，IRF840的價(jià)格可以接受，而IRFP450及IRFP460則難以接受，APT的線性MOSFET更不可能接受。
欲真正實(shí)現(xiàn)無限流電阻的上電浪涌電流抑制模塊，需解決功率器件在上電過程的功率損耗問題。另一種上電浪涌電流抑制模塊的基本思想是，使功率器件工作在開關(guān)狀態(tài)，從而解決了功率器件上電過程中的高功率損耗問題，而且電路簡(jiǎn)單。電路如圖2（a）和（b）所示，上電電流波形如圖2（c）所示。
