【導(dǎo)讀】功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態(tài)開關(guān)，SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘來自英飛凌《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態(tài)開關(guān)，SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘來自英飛凌《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
3.5 功率耗散（損耗）
對晶閘管和二極管而言，耗散（或損耗）分為斷態(tài)、通態(tài)、開通和關(guān)斷損耗這幾類。晶閘管還有控制損耗。在規(guī)定冷卻條件下，這些損耗的總和決定了器件的載流能力。
在高達(dá)60Hz的電網(wǎng)頻率下工作且具有適度的動態(tài)要求時，可以僅考慮通態(tài)損耗，因?yàn)槠渌鼡p耗的總和相對可以忽略不計(jì)。
對于具有高阻斷電壓(>2200V)或者管芯Ф≥80mm的半導(dǎo)體，即使是在電網(wǎng)頻率下工作，在計(jì)算時也應(yīng)考慮關(guān)斷損耗。
3.5.1 總功率耗散Ptot
Ptot是各項(xiàng)損耗總和的平均值。
3.5.2 斷態(tài)損耗PD、PR
PD、PR是斷態(tài)電流和斷態(tài)電壓在正向(PD)斷態(tài)和反向 (PR)斷態(tài)造成的損耗。
3.5.3 通態(tài)損耗PT、PF
PT、PF是在僅考慮正向?qū)顟B(tài)的情況下，轉(zhuǎn)化為熱的電能。根據(jù)以下公式，用等效直線的值計(jì)算通態(tài)損耗 PTAV或PFAV的平均值：
PTAV=VT(TO)?ITAV+rT?I2TRMS=VT(TO)?ITAV+rT? I2TAV?F2（晶閘管）
PFAV=VF(TO)?IFAV+rT?I2FRMS=VF(TO)?IFAV+rT? I2FAV?F2（二極管）
有關(guān)波形系數(shù)F，見表1
數(shù)據(jù)手冊中的圖顯示了各種形狀電流的通態(tài)耗散功率平均值與通態(tài)電流之間的關(guān)系。
可通過以下關(guān)系式，通過更精確的近似計(jì)算通態(tài)電壓，而非用vT0、vF0和rT計(jì)算通態(tài)損耗。
數(shù)據(jù)手冊中列出了系數(shù)A、B、C和D。
例外：PowerBLOCK模塊型未列出ABCD系數(shù)。
PowerBLOCK模塊型未列出ABCD系數(shù)
表1.相位角控制對應(yīng)的波形系數(shù)
3.5.4 開關(guān)損耗PTT，PFT+PRQ
PTT、PFT+PRQ是在開通（PTT對應(yīng)晶閘管，PFT對應(yīng)二極管）和關(guān)斷(PRQ)時轉(zhuǎn)化為熱的部分電能。平均開關(guān)損耗隨通態(tài)電流在開通和關(guān)斷時的上升率和下降率、以及重復(fù)頻率的增加而增加。對于阻斷電壓≤2200V的中等尺寸晶閘管和二極管以及高達(dá)60Hz電網(wǎng)頻率的應(yīng)用，開關(guān)損耗與通態(tài)損耗相比幾乎可以忽略不計(jì)。
對于阻斷電壓>2200V的半導(dǎo)體或管芯Ф≥80mm的半導(dǎo)體，即使是在電網(wǎng)頻率下工作，在計(jì)算時也應(yīng)考慮關(guān)斷損耗（必要時可應(yīng)要求提供）。
但是二極管的關(guān)斷損耗通常仍可忽略不計(jì)。
3.5.4.1 開通損耗PTT，PFT
PTT、PFT是開通期間超過通態(tài)損耗PT（晶閘管）或 PF（二極管）的耗散功率。它是由載流子存儲效應(yīng)和載流區(qū)域的延遲傳輸造成的。為了能夠以最快開通整個晶閘管芯片，許多晶閘管均具有觸發(fā)放大功能。此功能包含一個或幾個放大門極（=輔助晶閘管）。對于具有大截面的晶閘管，放大門極為分支結(jié)構(gòu)（手指結(jié)構(gòu)）。此結(jié)構(gòu)可使更大面接的截面在觸發(fā)時導(dǎo)通，從而減少開通損耗。開通和通態(tài)損耗之和 PTT, PFT+PT, PF對于功耗計(jì)算非常重要，可通過在開通期間和開通后，用通態(tài)電流和通態(tài)電壓積分得出。
實(shí)際上，開通損耗通常忽略不計(jì)。
3.5.4.2 關(guān)斷損耗PRQ
關(guān)斷損耗是由載流子存儲效應(yīng)造成的。它取決于反向延遲電流，反向斷態(tài)電壓幅值和上升率，因此可能受緩沖電路影響（見圖23）。
時間tint用于對關(guān)斷損耗進(jìn)行積分計(jì)算。
關(guān)斷損耗的近似計(jì)算方法如下：
Erq=關(guān)斷損耗能量
f=頻率
Qr=最大恢復(fù)電荷
VR=（反向電壓）換向后的激勵電壓
3.5.5 門極功耗PG
PG是由于門極電流在門極和陰極之間流動而轉(zhuǎn)化為熱量的電能。它分為門極峰值功耗PGM（門極電流和門極電壓峰值的乘積）和門極平均功耗PGAV（門極功耗的周期平均值）
（來源： 英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體）
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請電話或者郵箱editor@52solution.com聯(lián)系小編進(jìn)行侵刪。
推薦閱讀：
VIAVI為XL Axiata提供面向5G的遠(yuǎn)程光纖測試和監(jiān)控解決方案
平衡精密數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的ADC尺寸、功耗、分辨率和帶寬
如何使用具有集成400mV基準(zhǔn)的雙微功率比較器簡化監(jiān)控器和控制功能？
MOSFET性能改進(jìn)：超級結(jié)MOSFET（SJ－MOS）
如何以經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的方式將 EtherNet/IP、EtherCAT 和 PROFINET 添加到自動化工廠
