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帶軟開(kāi)啟功能的MOS管電源開(kāi)關(guān)電路!

發(fā)布時(shí)間:2020-02-12 來(lái)源:LR梁銳 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】電源開(kāi)關(guān)電路,經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制,是常用電路之一。本文要講解的電源開(kāi)關(guān)電路,是用MOS管實(shí)現(xiàn)的,且?guī)к涢_(kāi)啟功能。
 
電路說(shuō)明
 
電源開(kāi)關(guān)電路,尤其是MOS管電源開(kāi)關(guān)電路,經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制,如下框圖所示。
 
http://m.hiighwire.com/art/artinfo/id/80037618
圖中一個(gè)MOS管符號(hào)代表一個(gè)完成電路
 
在設(shè)計(jì)時(shí),只要增加一個(gè)電容(C1),一個(gè)電阻(R2),就可以實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)啟(soft start)功能。
 
http://m.hiighwire.com/art/artinfo/id/80037618
C1、R2實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)功能
 
軟開(kāi)啟,是指電源緩慢開(kāi)啟,以限制電源啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流。在沒(méi)有做軟開(kāi)啟時(shí),電源電壓的上升會(huì)比較陡峭,見(jiàn)下圖:
 
http://m.hiighwire.com/art/artinfo/id/80037618
沒(méi)有做軟開(kāi)啟,電壓上升比較陡峭
 
加入軟開(kāi)啟功能后,電源開(kāi)關(guān)會(huì)慢慢打開(kāi),電源電壓也就會(huì)慢慢上升,上升沿會(huì)比較平緩,見(jiàn)下圖:
 
http://m.hiighwire.com/art/artinfo/id/80037618
加入軟開(kāi)啟,電壓上升比較平緩
 
浪涌電流可能會(huì)令電源系統(tǒng)突然不堪重負(fù)而掉電,導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定,嚴(yán)重的可能會(huì)損壞電路上的元器件。
 
http://m.hiighwire.com/art/artinfo/id/80037618
浪涌導(dǎo)致不穩(wěn)定,甚至損壞電路
 
電源上電過(guò)快過(guò)急,負(fù)載瞬間加電,會(huì)突然索取非常大的電流。比如在電源電壓是5V,負(fù)載是個(gè)大容量電容的時(shí)候,電源瞬間開(kāi)啟令電壓瞬間上升達(dá)到5V,電容充電電流會(huì)非常大。如果同樣的時(shí)間內(nèi)電源電壓只上升到2.5V,那么電流就小得多了,下面從數(shù)學(xué)上分析一下。
 
電量 = 電容容量 * 電容兩端的電壓,即:
 
Q = C * U
 
同時(shí) 電量 = 電流 * 時(shí)間,即:
 
Q = I * t
 
所以電流:
 
I = (CU) / t
 
從公式可以看出,當(dāng)電容容量越大,電壓越高,時(shí)間越短,電流就會(huì)越大,從而形成浪涌電流。
 
大電容只是形成浪涌電流的原因之一,其他負(fù)載也會(huì)引起浪涌電流。
 
原理分析
 
1、控制電源開(kāi)關(guān)的輸入信號(hào) Control 為低電平或高阻時(shí),三極管Q2的基極被拉低到地,為低電平,Q2不導(dǎo)通,進(jìn)而MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管Q1不導(dǎo)通,+5V_OUT 無(wú)輸出。電阻R4是為了在 Control 為高阻時(shí),將三極管Q2的基極固定在低電平,不讓其浮空。
 
http://m.hiighwire.com/art/artinfo/id/80037618
 
2、當(dāng)電源 +5V_IN 剛上電時(shí),要求控制電源開(kāi)關(guān)的輸入信號(hào) Control 為低電平或高阻,即關(guān)閉三極管Q2,從而關(guān)閉MOS管Q1。因 +5V_IN 還不穩(wěn)定,不能將電源打開(kāi)向后級(jí)電路輸出。此時(shí)等效電路圖如下。
 
http://m.hiighwire.com/art/artinfo/id/80037618
 
此時(shí)電源 +5V_IN 剛上電,使MOS管G極與S極等電勢(shì),即Vgs = 0,令Q1關(guān)閉。
 
3、電源 +5V_IN 上電完成后,MOS管G極與S極兩端均為5V,仍然Vgs = 0。
 
4、此時(shí)將 Control 設(shè)為高電平(假設(shè)高電平為3.3V),則:
 
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①三極管Q2的基極為0.7V,可算出基極電流Ibe為:
 
(3.3V - 0.7V) / 基極電阻R3 = 0.26mA
 
②三級(jí)管Q2飽和導(dǎo)通,Vce ≈ 0。電容C1通過(guò)電阻R2充電,即C1與G極相連端的電壓由5V緩慢下降到0V,導(dǎo)致Vgs電壓逐漸增大。
 
③MOS管Q1的Vgs緩慢增大,令其緩慢打開(kāi)直至完全打開(kāi)。最終Vgs = -5V。
 
④利用電容C1的充電時(shí)間實(shí)現(xiàn)了MOS管Q1的緩慢打開(kāi)(導(dǎo)通),實(shí)現(xiàn)了軟開(kāi)啟的功能。
 
MOS管打開(kāi)時(shí)的電流流向如下圖所示:
 
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5、電源打開(kāi)后,+5V_OUT 輸出為5V電壓。此時(shí)將 Control 設(shè)為低電平,三極管Q2關(guān)閉,電容C1與G極相連端通過(guò)電阻R2放電,電壓逐漸上升到5V,起到軟關(guān)閉的效果。軟關(guān)閉一般不是我們想要的,過(guò)慢地關(guān)閉電源,可能出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定等異常。過(guò)程如下圖:
 
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一般情況下還是放心使用軟啟動(dòng)功能,伴隨而來(lái)的軟關(guān)閉效果一般沒(méi)什么影響。
 
電路參數(shù)設(shè)定說(shuō)明
 
調(diào)整C1、R2的值,可以修改軟啟動(dòng)的時(shí)間。值增大,則時(shí)間變長(zhǎng)。反之亦然。
 
作者:LR梁銳
來(lái)源:芯片之家
 
 
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